由馬德里康普頓斯大學(西班牙)領導的一組科學家首次制造出基于磷化鎵(Gap)和鈦(Ti)的中譜帶(IB)太陽能電池。

IB太陽能電池被認為有可能超過Shockley-Queisser極限，即具有單個p-n結的太陽能電池可以達到的最大理論效率。它是通過檢查每個入射光子提取的電能來計算的。

這些器件通常設計用于提供大的光生電流并保持高輸出電壓。它們包含一個能帶，該能帶在半導體的帶隙內部分填充有電子。在這種電池配置中，能量不足以將電子從價帶推到導帶的光子使用該中間能帶生成電子-空穴對。